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OverviewFür zahlreiche neue Anwendungen vor allem in der Kommunikationstechnik sind die III-V-Verbindungshalbleiter die technologische Basis. Entsprechend wertvoll wird das Wissen über die Herstellungstechniken von Bauelementen für integrierte Mikrowellenschaltungen, denen dieses Werk gewidmet ist. Es wendet sich als Lehr- und Fachbuch an Studenten und Entwicklungsingenieure, denen der Einstieg in dieses Gebiet durch den methodischen Ansatz und den Verweis auf die aktuelle internationale Fachliteratur erleichtert wird. Besonders hervorzuheben ist die ausführliche Behandlung von Halbleiter-Heterostukturen. Full Product DetailsAuthor: Werner ProstPublisher: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG Imprint: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K Dimensions: Width: 15.50cm , Height: 1.20cm , Length: 23.50cm Weight: 0.355kg ISBN: 9783540628040ISBN 10: 3540628045 Pages: 206 Publication Date: 14 August 1997 Audience: Professional and scholarly , Professional & Vocational Format: Paperback Publisher's Status: Active Availability: Out of stock  The supplier is temporarily out of stock of this item. It will be ordered for you on backorder and shipped when it becomes available. Language: German Table of Contents1: Herstellung von III/V- Halbleiter-Heterostrukturen.- 0 Einleitung.- 1 Halbleiter-Materialsysteme.- 1.1 Definition des Halbleiters .- 1.2 Kristallstruktur der Verbindungshalbleiter.- 1.3 Halbleiterschichtsysteme.- 1.3.1 Gitterangepasste Halbleiter-Schichtsysteme.- 1.3.2 Gitterfehlangepasste Halbleiter-Schichtsysteme.- 1.4 Literatur.- 2 Halbleiterkristallzucht (GaAs).- 2.1 Ausgangsstoffe.- 2.2 Kristallzuchtverfahren.- 2.2.1 Kristallisation im Quarztiegel (Bridgman-Verfahren).- 2.2.2 Schutzschmelze-Verfahren (LEC).- 2.3 Herstellung der Wafer.- 2.4 Literatur.- 3 Herstellung aktiver Bauelementschichten.- 3.1 Dotierverfahren.- 3.1.1 Diffusion.- 3.1.2 Ionenimplantation.- 3.2 Epitaxie.- 3.2.1 Flussigphasenepitaxie (LPE).- 3.2.2 Molekularstrahlepitaxie (MBE).- 3.2.2.1 Grundzuge des MBE-Wachstumsprozesses.- 3.2.2.2 Methodische Anwendungsbeispiele.- 3.2.2.3 Apparativer Aufbau der MBE-Anlage.- 3.2.3 Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE).- 3.2.3.1 Grundzuge des MOVPE-Wachstumsprozesses.- 3.2.3.2 Epitaxieparameter des MOVPE-Prozesses.- 3.2.3.3 Aufbau der Anlage.- 3.2.4 Epitaxie mit gasefoermigen Quellen im UHV.- 3.3 Literatur.- 4 Material-Charakterisierung von Halbleiter-Heterostrukturen.- 4.1 Photolumineszenz.- 4.1.1 Theoretische Grundlagen.- 4.1.2 Messaufbau.- 4.1.3 Anwendungsbeispiele.- 4.1.3.1 Undotiertes GaAs.- 4.1.3.2 Undotiertes AIxGa1-xAs.- 4.1.3.3 Dotierte Halbleiter.- 4.1.3.4 Quantenbrunnen.- 4.2 Roentgenbeugung.- 4.2.1 Theoretische Grundlagen.- 4.2.2 Messautbau.- 4.2.3 Anwendungsbeispiele.- 4.2.3.1 Gitterfehlanpassung.- 4.2.3.2 Chemische Zusammensetzung.- 4.2.3.3 Periodenlange eines UEbergitters.- 4.2.3.4 Epitaxieschichtdicke.- 4.2.3.5 UEberordnung in ternaren Mischkristallhalbleitern.- 4.3 Literatur.- 2: Technologie elektronischer Hoechstfrequenz-Bauelemente.- 5 Abscheidung und Charakterisierung dielektrischer Schichten.- 5.1 Materialien fur dielektrische Schichten.- 5.2 Verfahren zur Deposition auf III/V-Halbleitern.- 5.2.1 Kathodenzerstaubung (Sputtern).- 5.2.2 Plasma-unterstutzte Chemische Gasphasendeposition.- 5.3 Charakterisierung von SiNx.- 5.3.1 Elektrische Charakterisierung.- 5.3.2 Ellipsometrie.- 5.3.2.1 Amplitudenreflexionsfaktor als Funktion der Schichtdaten.- 5.3.2.2 Messtechnische Erfassung des Amplituden-reflexionsfaktors ?.- 5.4 Literatur.- 6 Bauelementtechnologie.- 6.1 Laterale Strukturierung.- 6.1.1 Photonische Lithographie.- 6.1.1.1 Optische Lithographie.- 6.1.1.2 Roentgenstrahllithographie.- 6.1.2 Direkt-Schreibverfahren.- 6.1.2.1 Elektronenstrahllithographie.- 6.1.2.2 Fokussierte Ionenstrahllithographie.- 6.1.3 Abbildungen im Fotolack.- 6.2 Vertikale Strukturierung (AEtztechnik).- 6.2.1 Nasschemische AEtzverfahren.- 6.2.2 Trockenatzverfahren.- 6.3 Metallisierungen.- 6.3.1 Herstellung von Metallisierungen.- 6.3.1.1 Aufdampftechnik.- 6.3.1.2 Kathodenzerstaubung (Sputtertechnik).- 6.3.1.3 Galvanik.- 6.3.2 Strukturierung von Metallen.- 6.3.2.1 AEtztechnik.- 6.3.2.2 Abhebetechnik (Lift-Off).- 6.3.2.3 Fotolack-gefuhrtes Galvanisieren (Luftbrucken).- 6.3.3 Kontakttechnologie.- 6.3.3.1 Sperrende (Schottky-) Kontakte.- 6.3.3.2 Leitende (Ohmsche-) Metall-Halbleiterkontakte.- 6.4 Literatur.- 7 Umweltschutz und Arbeitssicherheit.- 7.1 Gefahrliche Stoffe.- 7.2 Detektion gefahrlicher Stoffe.- 7.3 Arbeitsschutz.- 7.4 Emissionsschutz.- 7.5 Versorgung, Lagerung, Entsorgung.- 7.6 Literatur.- UEbungsaufgaben.- Liste der verwendeten Formelzeichen.- Druck-Umrechnungstabelle.- Naturkonstanten.- Stichwortverzeichnis.ReviewsAuthor InformationTab Content 6Author Website:Countries AvailableAll regions |
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