Overview

In questo lavoro, lo strato di silicio poroso (PS) nanostrutturato è stato fabbricato mediante (PEC) utilizzando un diodo laser a 650 nm a diverse densità di potenza di illuminazione per un substrato di silicio di tipo n con resistività (10 Ω.cm) e HF del 48,5% ed etanolo (99%) (1:1). Sono state studiate le proprietà morfologiche, ottiche ed elettriche. Queste caratteristiche sono state studiate utilizzando il nostro modello matematico che rappresenta le proprietà elettriche. Le proprietà elettriche dello strato di silicio poroso sono classificate in base alle proprietà strutturali e dimostriamo che le proprietà elettriche dipendono dalla permittività relativa come classificato. Si osservi che a bassa densità di potenza la caratteristica J-v appare non rettificante e il silicio poroso si comporta come un contatto ohmico, mentre ad alta densità di potenza del laser si produce una giunzione rettificante, che si comporta come un contatto ohmico, e un tempo di incisione elevato che si comporta come una giunzione (schottky), mentre a (200 mW/cm2) la giunzione si comporta come un diodo (etrojunzione).

Full Product Details

9786209312014

Table of Contents

Reviews

Author Information

Tab Content 6

Countries Available