Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie: Der inverse Thyristor
Author:   Norman Böttcher
Publisher:   Springer Fachmedien Wiesbaden
ISBN:  

9783658501501


Pages:   212
Publication Date:   14 January 2026
Format:   Paperback
Availability:   In Print   Availability explained
This item will be ordered in for you from one of our suppliers. Upon receipt, we will promptly dispatch it out to you. For in store availability, please contact us.

Our Price $237.57 Quantity:  
Add to Cart

Share |

Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie: Der inverse Thyristor


Overview

Full Product Details

Author:   Norman Böttcher
Publisher:   Springer Fachmedien Wiesbaden
Imprint:   Springer Vieweg
ISBN:  

9783658501501


ISBN 10:   3658501502
Pages:   212
Publication Date:   14 January 2026
Audience:   General/trade ,  General
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active
Availability:   In Print   Availability explained
This item will be ordered in for you from one of our suppliers. Upon receipt, we will promptly dispatch it out to you. For in store availability, please contact us.
Language:   German

Table of Contents

Motivation.- Physikalische Grundlagen.- Analytische Bauteilmodellierung.- Bauelementauslegung und Monolithische Integration.- Charakterisierung und Diskussion.- Zusammenfassung und Ausblick.

Reviews

Author Information

Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke

Tab Content 6

Author Website:  

Countries Available

All regions
Latest Reading Guide

NOV RG 20252

 

Shopping Cart
Your cart is empty
 Shopping cart
Mailing List

 

Sign up now