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Author:   W. Schottky
Publisher:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Imprint:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
Edition:   1956 ed.
Volume:   HP3
Dimensions:   Width: 17.00cm , Height: 1.50cm , Length: 24.40cm
Weight:   0.510kg
ISBN:  

9783662161111

ISBN 10:   3662161117
Pages:   280
Publication Date:   23 August 2014
Audience:   Professional and scholarly ,  Professional & Vocational
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active
Availability:   In stock  
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Language:   German

Table of Contents

Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.

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