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OverviewKein anderes deutschsprachiges Buch beschreibt so kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zum 256-Mbit-Speicher. Die rasante Entwicklung der Prozeßtechnologie der letzten Jahre und Prognosen über das Jahr 2000 hinaus finden sich in dieser Neuauflage wieder. Der weltweite Aufschwung der Mikroelektronik bewirkt riesige Investitionen in die Chipfertigung, in Europa vor allem durch die Firma Siemens. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand. Full Product DetailsAuthor: Dietrich Widmann , Hermann Mader , Hans Friedrich , Hans FriedrichPublisher: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG Imprint: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K Edition: 2. Aufl. 1996 Volume: 19 Dimensions: Width: 15.50cm , Height: 2.20cm , Length: 23.50cm Weight: 0.752kg ISBN: 9783540593577ISBN 10: 3540593578 Pages: 366 Publication Date: 03 May 1996 Audience: Professional and scholarly , Professional & Vocational Format: Hardback Publisher's Status: Active Availability: Out of stock  The supplier is temporarily out of stock of this item. It will be ordered for you on backorder and shipped when it becomes available. Language: German Table of Contents1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.1.1 CVD-Verfahren.- 3.1.2 Thermische Oxidation.- 3.1.3 Aufdampfverfahren.- 3.1.4 Sputterverfahren.- 3.1.5 Schleuderbeschichtung.- 3.1.6 Schichterzeugung mittels Ionenimplantation.- 3.1.7 Schichterzeugung mittels Wafer-Bonding und Rückätzen.- 3.1.8 Temperverfahren.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.2.1 Geometrie und Kristallographie von Siliziumscheiben.- 3.2.2 Dotierung von Siliziumscheiben.- 3.2.3 Zonengezogenes und tiegelgezogenes Silizium.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.3.1 Anwendung von Epitaxieschichten.- 3.3.2 Diffusion von Dotieratomen aus dem Substrat in die Epitaxieschicht.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.4.1 Anwendung von thermischen SiO2-Schichten.- 3.4.2 Die LOCOS-Technik.- 3.4.3 Charakterisierung von dünnen thermischen SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.5.1 Erzeugung von abgeschiedenen SiO2-Schichten.- 3.5.2 Anwendung abgeschiedener SiO2-Schichten.- 3.5.3 Spacertechnik.- 3.5.4 Grabenisolation.- 3.5.5 SiO2-Isolationsschichten für die Mehrlagenverdrahtung.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.6.1 Erzeugung von Phosphorglasschichten.- 3.6.2 Flow-Glas.- 3.6.3 Thermisches Phosphorglas.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.7.1 Erzeugung von Siliziumnitridschichten.- 3.7.2 Nitridschichten als Oxidationssperre.- 3.7.3 Nitridschichten als Kondensator-Dielektrikum.- 3.7.4 Nitridschichten als Passivierung.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.8.1 Erzeugung von Polysiliziumschichten.- 3.8.2 Kornstruktur von Polysiliziumschichten.- 3.8.3 Leitfähigkeit von Polysiliziumschichten.- 3.8.4 Anwendung von Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.9.1 Erzeugung von Silizidschichten.- 3.9.2 Polyzidschichten.- 3.9.3 Silizierung von Source/Drain-Bereichen.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.11.1 Erzeugung von Aluminiumschichten.- 3.11.2 Kristallstruktur von Aluminiumschichten.- 3.11.3 Elektromigration in Aluminiumleiterbahnen.- 3.11.4 Aluminium-Siliziumkontakte.- 3.11.5 Aluminium-Aluminium-Kontakte.- 3.12 Organische Schichten.- 3.12.1 Spin-on-Glasschichten.- 3.12.2 Polyimidschichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.2.1 Photoresistschichten.- 4.2.2 Ausbildung von Photoresiststrukturen.- 4.2.3 Schwankung der Lichtintensität im Photoresist.- 4.2.4 Spezielle Photoresisttechniken.- 4.2.5 Optische Belichtungsverfahren.- 4.2.6 Auflösungsvermögen der lichtoptischen Belichtungsgeräte.- 4.2.7 Justiergenauigkeit von lichtoptischen Belichtungsgeräten.- 4.2.8 Defekte bei der lichtoptischen Lithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.3.1 Wellenlängenbereich für die Röntgenlithographie.- 4.3.2 Röntgenresists.- 4.3.3 Röntgenquellen.- 4.3.4 Röntgenmasken.- 4.3.5 Justierverfahren der Röntgenlithographie.- 4.3.6 Strahlenschäden bei der Röntgenlithographie.- 4.3.7 Chancen der Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.4.1 Elektronenresists.- 4.4.2 Auflösungsvermögen der Elektronenlithographie.- 4.4.3 Elektronenstrahlschreibgeräte.- 4.4.4 Elektronenprojektionsgeräte.- 4.4.5 Justierverfahren der Elektronenlithographie.- 4.4.6 Strahlenschäden bei der Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.5.1 Ionenresists.- 4.5.2 Ionenstrahlschreiben.- 4.5.3 Ionenstrahlprojektion.- 4.5.4 Auflösungsvermögen der Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.1.1 Naßchemisches Ätzen.- 5.1.2 Chemisch-Mechanisches Polieren.- 5.2 Trockenätzen.- 5.2.1 Physikalisches Trockenätzen.- 5.2.2 Chemisches Trockenätzen.- 5.2.3 Chemisch-Physikalisches Trockenätzen.- 5.2.4 Chemische Ätzreaktionen.- 5.2.5 Ätzgase.- 5.2.6 Prozeßoptimierung.- 5.2.7 Endpunkterkennung.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.3.1 Trockenätzen von Siliziumnitrid.- 5.3.2 Trockenätzen von Polysilizium.- 5.3.3 Trockenätzen von monokristallinem Silizium.- 5.3.4 Tockenätzen von Metallsiliziden und Refraktär-Metallen.- 5.3.5 Trockenätzen von Siliziumdioxid.- 5.3.6 Trockenätzen von Aluminium.- 5.3.7 Trockenätzen von Polymeren.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.2.1 Ionenimplantationsanlagen.- 6.2.2 Implantierte Dotierprofile.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.3.1 Aktivierung implantierter Dotieratome.- 6.3.2 Intrinsische Diffusion von Dotieratomen.- 6.3.3 Diffusion bei hohen Dotieratomkonzentrationen.- 6.3.4 Oxidationsbeschleunigte Diffusion.- 6.3.5 Diffusion von Dotieratomen an Grenzflächen.- 6.3.6 Diffusion von Dotieratomen in Schichten.- 6.3.7 Schichtwiderstand von dotierten Schichten.- 6.3.8 Diffusion am Rand von dotierten Bereichen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.2.1 Reinräume.- 7.2.2 Reine Materialien.- 7.2.3 Saubere Prozeßführung.- 7.3 Scheibenreinigung.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Prozeßintegration.- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.1.1 Die aktiven Bauelemente in Integrierten Schaltungen.- 8.1.2 Systematik der MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.1.3 Die passiven Bauelemente in Integrierten Schaltungen.- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse.- 8.2.1 Architektur der MOS-Technologien.- 8.2.2 Architektur der Bipolar- und BICMOS-Technologien.- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen.- 8.3.1 Aufbau der MOS-Transistoren und ihrer Isolation.- 8.3.2 Aufbau der DMOS-Transistoren.- 8.3.3 Aufbau der Bipolar-Transistoren und ihrer Isolation.- 8.4 Speicherzellen.- 8.4.1 Aufbau von statischen Speicherzellen.- 8.4.2 Aufbau von dynamischen Speicherzellen.- 8.4.3 Aufbau von nichtflüchtigen Speicherzellen.- 8.5 Mehrlagenmetallisierung.- 8.5.1 Einebnung von Oberflächen in Integrierten Schaltungen.- 8.5.2 Kontakte in Integrierten Schaltungen.- 8.5.3 Leiterbahnen in Integrierten Schaltungen.- 8.5.4 Passivierung von Integrierten Schaltungen.- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse.- 8.6.1 0,4 µm-Digital-CMOS-Prozeß.- 8.6.2 0,7 µm-BICMOS-Prozeß.- 8.6.3 Höchstfrequenz-Bipolar-Prozeß.- 8.6.4 0,25 µm-DRAM-Prozeß.- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.ReviewsAuthor InformationTab Content 6Author Website:Countries AvailableAll regions |
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