Overview

Der vorliegende Band der Buchreihe ""Halbleiter-Elektronik"" behan- delt Feldeffekttransistoren. Diese Gruppe von Bauelementen besitzt eine Reihe von speziellen Eigenschaften, die eine gesonderte Darstel- lung rechtfertigen. Der Text ist so abgefaBt, daB er flir sich verstandlich ist. Dem Leser sei jedoch empfohlen, sich mit dem Stoff des Bandes 1 (""Grund- lagen der Halbleiter-Elektronik"") vertraut zu machen. Einzelprobleme werden nur so weit behandelt, wie sie flir die vorliegende Darstellung erforderlich sind. Darliber hinaus wird auf die Literatur verwiesen. Ziel auch dieses Bandes ist, den Leser in das Fachgebiet einzu- flihren und ihm eine flir ein Weiterstudium ausreichende Kenntnis des Teilkomplexes ""Feldeffekttransistoren"" zu vermitteln. Die Behandlung der Grundlagen steht damit im Vordergrund, das breite Gebiet des Schaltungseinsatzes der Bauelemente wird nur kurz gestreift. Meinen Mitarbeitern darf ich flir eine Reihe von Hinweisen und das Lesen der Korrektur herzlich danken. Der Dank gilt auch Frau Sievers flir das Schreiben des Manuskripts. Aachen, im August 1973 Heinz Beneking 5 I nhaltsverzeich nis Besondere Bezeichnungen und Begriffe . - - - . . - . - - . - -- . . 9 - Einleitung --....--. - . - - . . . - - . . . . - . - -- - - 11 - . . 1. Ubersicht tiber die verschiedenen Arten von Feldeffekttr- sistoren ..... . 13 1.1. Einftihrung. . - . . . . - - - . - - - . - . . - - . . .- - . 13 . . . - 1. 2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung tiber gesperrte Diode - . - - - . . . . - . . - - - . - . . . . - - - .. . - 25 - - . - .

Full Product Details

Author:   Heinz Beneking ,  H Beneking
Publisher:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Imprint:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
Volume:   7
Dimensions:   Width: 15.50cm , Height: 1.30cm , Length: 23.50cm
Weight:   0.450kg
ISBN:  

9783540063773

ISBN 10:   3540063773
Pages:   246
Publication Date:   01 January 1973
Audience:   Professional and scholarly ,  Professional & Vocational
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active
Availability:   In Print  
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Language:   German

Table of Contents

1. UEbersicht uber die verschiedenen Arten von Feldeffekttransistoren.- 1.1. Einfuhrung.- 1.2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung uber gesperrte Diode.- 1.3. Feldeffekttransistoren mit Steuerung uber isolierende Schicht.- 1.4. Feldeffekttransistoren in Dunnfilmtechnik.- 1.5. Sonderformen von Feldeffekttransistoren.- 2. Grundstrukturen und ihre Wirkungsweise.- 2.1. IGFET.- 2.1.1. Statische Kennlinien.- 2.1.2. Wechselstromverhalten.- 2.2. NIGFET.- 2.2.1. Statische Kennlinien.- 2.2.2. Wechselstromverhalten.- 2.3. Tetroden.- 2.4. Feldeffekttransistoren mit Raumladungsbegrenzung.- 2.5. Dunnfilmtransistoren.- 3. Verfeinerte Theorie.- 3.1. Berucksichtigung der Substratladung beim IGFET.- 3.2. Berucksichtigung der Substratladung beim NIGFET.- 3.3. Dunnfilmtransistoren mit gegenuber der Isolatorschicht dicken Leitschichten.- 3.4. Einfluss von Zuleitungswiderstanden.- 3.5. Substratsteuerung.- 3.6. Kanalladung und Kapazitaten.- 3.6.1. IGFET.- 3.6.2. NIGFET.- 3.7. Driftsattigung und Sattigungsbereich.- 3.7.1. IGFET.- 3.7.1.1. Statische Eigenschaften.- 3.7.1.2. Dynamische Eigenschaften.- 3.7.1.3. Sattigungsbereich.- 3.7.2. NIGFET.- 3.7.2.1. Statische Eigenschaften.- 3.7.2.2. Dynamische Eigenschaften.- 3.7.2.3. Sattigungsbereich.- 4. Eigenschaften der Steuerstrecke.- 4.1. Halbleiteroberflache.- 4.2. Isolatorbedeckte Halbleiteroberflache.- 4.3. MIS-Kontakt.- 4.3.1. Kapazitatsverhalten.- 4.3.2. Mehrfachdielektrikum.- 4.4. Metalloberflache.- 4.5. Metall-Halbleiter-Kontakt.- 4.5.1. Elektrostatische Behandlung.- 4.6. MeS-Steuerstrecke.- 4.7. pn-Kontakt.- 4.8. Steuerstrecke als RC-Leitung.- 5. Computerloesungen.- 5.1. Digitalsimulation.- 5.2. Analogsimulation.- 6. Schaltungseigenschaften.- 6.1. Arbeitspunkt.- 6.2. Verzerrungen.- 6.3. Grund- und Verbundschaltungen.- 6.4. Hochfrequenzverhalten.- 6.4.1. Frequenzgang und obere Frequenzgrenze.- 6.5. Schaltverhalten.- 6.6. Digitalkopplungen.- 7. Stabilitat und Temperaturverhalten.- 7.1. Alterungs- und Drifteffekte.- 7.2. Strahlungsempfindlichkeit.- 7.3. Temperaturverhalten.- 8. Rauschen.- 9. Anwendungen der verschiedenen FET-Arten.

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